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金奖+铜奖 | 南宫28ng荣获两项Laser Focus World 创新大奖

分类：公司新闻
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发布时间：2022-09-26
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【概要描述】近日，由 Laser Focus World 主办的“2022年度创新大奖”评选落下帷幕，南宫28ng首次携30W高功率半导体单管芯片、680W 976nm 200um光纤耦合模块两款产品参选，分别荣获金奖和铜奖。

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金奖+铜奖 | 南宫28ng荣获两项Laser Focus World 创新大奖

分类：公司新闻
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发布时间：2022-09-26
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近日，由 Laser Focus World 主办的“2022年度创新大奖”评选落下帷幕，南宫28ng首次携30W高功率半导体单管芯片、680W 976nm 200um光纤耦合模块两款产品参选，分别荣获金奖和铜奖。

Laser Focus World Innovator Awards 2022

Laser Focus World Innovator Awards 由全球业内专家组成专业评委团，旨在表彰激光、光学和光电行业中各种不同的创新技术、产品和系统。其评审标准不仅包括产品的原创性和创新性，产品对设计者、系统集成商和用户的影响力，产品是否满足新的市场需求，是否利用了新技术以提高生产力，也是其重要的评判标准之一。

30W 单管芯片

Award Level: Gold Honoree

30W 高功率半导体单管芯片，基于南宫28ng成熟的单管芯片技术工艺，通过优化芯片外延结构设计和提高腔面特殊处理技术，提升芯片功率。通过优化非对称大光腔结构波导层厚度，降低阈值，提高斜效率，并保持电压稳定。在优化激光芯片功率之外，南宫28ng持续提高腔面特殊处理过程的材料质量降低缺陷比例，提高腔面的抗光学灾变损伤的能力，在追求更高输出功率和转换效率的同时，满足工业市场对激光器寿命的要求。

激光芯片是激光技术的关键，是整个激光产业链的技术核心，受外延生长技术、腔面钝化技术的限制，长期以来我国的半导体激光芯片的功率、寿命方面较之国外先进水平有较大的差距。自成立以来，南宫28ng高度重视研发创新能力的建设，已建成全球少数几条半导体激光芯片自主可控的IDM垂直工艺平台，产品技术指标比肩国际领先水平。值得一提的是，南宫28ng全新推出的更高功率、更高效率的35W商用单管芯片已开始供货。

680W 976nm光纤耦合模块

Award Level: Bronze Honoree

南宫28ng680W 976nm 200um光纤耦合模块，光纤芯径220um，输出功率680W，数值孔径NA0.17，中心波长976nm，光谱半高宽≤5nm，高电流下电光效率50%，具有高电流下转换效率高、寿命长、波长可控等特点。该系列产品采用公司自主研发生产的高功率35W 976nm单管芯片，最大程度的节约单瓦材料成本，同时通过高效散热封装技术，确保芯片在更“冷”的状态下工作，保障模块长期可靠工作。

南宫28ng在国内率先提出和倡导将976nm泵浦方案应用在工业领域，我们认为只有成本更低、功率更高的976nm泵浦方案才能满足日益增长的客户需求，976nm泵浦技术是市场的选择，也将会替代915nm逐渐成为未来的主流技术路线。

关于南宫28ng

南宫28ng是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光芯片的公司，建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线，拥有边发射激光芯片（EEL）和面发射激光芯片（VCSEL）两大产品结构，GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）两大材料体系，3吋、6吋两大量产线。

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